Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц

Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние д...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Филиппов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76070
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-76070
record_format dspace
spelling irk-123456789-760702015-10-31T11:17:00Z Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц Филиппов, В.В. Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний. Наведено результати оптимізації атомової структури та розрахунку електронних характеристик напружених кремнійових кластерів Si51 на германійовім підложжі. Вивчено взаємодію межових атомів нанокластерів з підложжям та механізм перенесення заряду в кремнійових наноструктурах. Аналізується вплив деформації й домішок на розподіл електронних станів. Results of optimization of atomic structure and calculation of electronic properties of strained silicon clusters Si51 on a germanium substrate are presented. Interaction of boundary atoms of nanoclusters with the substrate and mechanism of charge transfer in silicon nanostructures are studied. Influence of strain and impurities on distribution of electronic states is analyzed. 2008 Article Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.46.Bc, 61.46.Hk, 73.22.Dj, 73.61.Cw, 81.07.Bc http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76070 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние деформации и примеси на распределение электронных состояний.
format Article
author Филиппов, В.В.
spellingShingle Филиппов, В.В.
Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Филиппов, В.В.
author_sort Филиппов, В.В.
title Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
title_short Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
title_full Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
title_fullStr Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
title_full_unstemmed Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
title_sort моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76070
citation_txt Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT filippovvv modelirovanieélektronnojstrukturykremnievyhnaprâžennyhnanočastic
first_indexed 2023-10-18T19:11:01Z
last_indexed 2023-10-18T19:11:01Z
_version_ 1796146226062688256