Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных характеристик напряженных кремниевых кластеров Si51 на германиевой подложке. Изучены взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой и механизм переноса заряда в кремниевых наноструктурах. Анализируется влияние д...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76070 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц / В.В. Филиппов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 705-715. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |