Термодинамика мицеллообразования анионных ПАВ с двухзарядным анионом
Для гомологического ряда моноалкилсульфосукцинатов натрия от С₁₀ до С₁₄ по данным кондуктометрии определены критические концентрации мицеллообразования и точки Крафта; с использованием метода Эванса рассчитаны значения степени связывания противоионов мицеллами и энергии Гиббса мицеллообразо...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76071 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Термодинамика мицеллообразования анионных ПАВ с двухзарядным анионом / Е.Н. Колесникова, Н.А. Глухарева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 2. — С. 563-570. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Для гомологического ряда моноалкилсульфосукцинатов натрия от С₁₀ до
С₁₄ по данным кондуктометрии определены критические концентрации
мицеллообразования и точки Крафта; с использованием метода Эванса
рассчитаны значения степени связывания противоионов мицеллами и
энергии Гиббса мицеллообразования. Значения степени связывания противоионов и энергии Гиббса по абсолютной величине выше, чем для ПАВ
с однозарядными анионами с той же длиной углеводородного радикала. |
|---|