Структура та електрооптичний відгук рідкого кристалу з неґативною діелектричною анізотропією, допованого вуглецевими нанотрубками
Досліджено мікроструктуру та електрооптичний відгук рідкого кристалу (РК) з неґативною діелектричною анізотропією н-(n-етокси-бензиліден)n-бутиланіліну (ЕББА), допованого багатошаровими вуглецевими нанотрубками. Концентрація трубок в РК була невисокою (< 0,5 ваг.%), щоб уникнути суттєвих поруше...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76082 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структура та електрооптичний відгук рідкого кристалу з неґативною діелектричною анізотропією, допованого вуглецевими нанотрубками / Л. Долгов, O. Ярощук, M. Лебовка // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 2. — С. 625-633. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Досліджено мікроструктуру та електрооптичний відгук рідкого кристалу
(РК) з неґативною діелектричною анізотропією н-(n-етокси-бензиліден)n-бутиланіліну (ЕББА), допованого багатошаровими вуглецевими нанотрубками. Концентрація трубок в РК була невисокою (< 0,5 ваг.%), щоб
уникнути суттєвих порушень РК-орієнтації. Прикладання електричного
поля призводило до переорієнтації РК з початкового гомеотропного у
планарний стан. Встановлено, що, на відміну від чистого рідкого кристалу, в допованім нанотрубками РК планарний стан, що досягається в полі,
залишається після його вимкнення. Це супроводжується залишковим
світлопропусканням або пам’яттю. Ефективність такої пам’яті немонотонно залежить від концентрації нанотрубок і є найбільшою для суспензій із вмістом нанотрубок в діяпазоні концентрацій 0,02—0,05 ваг.%, що
відповідає перколяційному переходу із непровідного у провідний стан.
Запропоновано модель електрооптичної пам’яті. Згідно з ним, нанотрубки формують у рідкім кристалі сітку аґреґатів, яка підтримує певний орієнтаційний стан. При переорієнтації рідкого кристалу в електричнім полі
у планарний стан, сітка аґреґатів перебудовується і стабілізує цей стан.
Формування сітчастої структури нанотрубок підтверджується додатковими експериментами. |
|---|