Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films
In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap.
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76139 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76139 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-761392015-02-09T03:01:41Z Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. Вперше експериментально досліджені деякі закономірності довгострокової релаксації фотопровідності плівок полуторного сульфіду гадолінія, які леговані атомами кадмію. Розраховано максимальне значення рекомбінаційного бар’єру та встановлено розташування рівнів прилипання в забороненій зоні. Впервые экспериментально исследованы некоторые закономерности долговременной релаксации фотопроводимости плёнок полуторного сульфида гадолиния, легированных атомами кадмия. Рассчитано максимальное значение рекомбинационного барьера и установлено расположение уровней прилипания в запрещённой зоне. 2011 Article Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1999-8074 PACS: 7350 Pz.7361 Le.7840 Fy http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76139 en Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
In first time it is experimentally investigated some regularities of long-term relaxation of photoconductivity of gadolinium one-and-halp sulfides thin films doped by cadmium atoms. Was calculated maximum of recombination barrier and found the location of trapping levels in the gap. |
| format |
Article |
| author |
Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. |
| spellingShingle |
Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Jabua, Z.U. Gigineishvili, A.V. Tabatadze, I.G. Kupreishvili, I.L. |
| author_sort |
Jabua, Z.U. |
| title |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_short |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_full |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_fullStr |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_full_unstemmed |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films |
| title_sort |
long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped gd₂s₃ films |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76139 |
| citation_txt |
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films / Z.U. Jabua, A.V. Gigineishvili, I.G. Tabatadze, I.L. Kupreishvili // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 44–47. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT jabuazu longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT gigineishviliav longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT tabatadzeig longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films AT kupreishviliil longtermrelaxationofphotoconductivityincadmiumdopedgd2s3films |
| first_indexed |
2023-10-18T19:11:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:11:12Z |
| _version_ |
1796146234657865728 |