Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки

Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автор: Точилін, С.Д.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76170
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-76170
record_format dspace
spelling irk-123456789-761702015-02-09T03:02:29Z Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки Точилін, С.Д. Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках. Проведено изучение распространения света в германии и сере при испарительном режиме лазерного воздействия на поверхность материалов. В результате анализа экспериментальных данных определена скорость формирования сквозных отверстий и установлены временные особенности поглощения света в исследованных образцах. The study of light propagation in germanium and sulfur is carried out at evaporating mode of laser influence on a surface of materials. As a result of the analysis of experimental data the speed of formation of through apertures is determined and the temporary features of absorption factor in the investigated samples are established. 2011 Article Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76170 535.361; 004.42 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Проведено дослідження поширення світла в германії та сірці при випарному режимі лазерного впливу на поверхню матеріалів. У результаті аналізу експериментальних даних визначена швидкість формування наскрізних отворів та встановлені тимчасові особливості поглинання світла в досліджених зразках.
format Article
author Точилін, С.Д.
spellingShingle Точилін, С.Д.
Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
Физическая инженерия поверхности
author_facet Точилін, С.Д.
author_sort Точилін, С.Д.
title Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_short Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_full Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_fullStr Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_full_unstemmed Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
title_sort особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2011
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76170
citation_txt Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки / С.Д. Точилін // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 77–81. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT točilínsd osoblivostípoširennâsvítlavelementarnihnapívprovídnikahpídčaslazernoíobrobki
first_indexed 2023-10-18T19:11:18Z
last_indexed 2023-10-18T19:11:18Z
_version_ 1796146237947248640