2025-02-23T19:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76196%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76196%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:38:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:38:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокриста...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Болгов, С.С., Манойлов, Э.Г., Каганович, Э.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76196
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.

Similar Items