Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокриста...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76196 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76196 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-761962015-10-31T18:55:05Z Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. Досліджуються умови пригнічення поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду ґерманійових p—n-діод шляхом пасивації наночастинками. На поверхню ґерманію методою імпульсного лазерного осадження за низьких температур наносили плівки оксиду ґерманію, що містять ґерманійові нанокристали. Показано, що пасивація призводить до підвищення теплового випромінення прямо зміщеної діоди в спектральній області 3—12 мкм на 40—50% за рахунок збільшення ефективного часу життя носіїв в базі діоди. We study the conditions for suppression of surface recombination of nonequilibrium charge carriers in germanium p—n diodes by passivation with nanoparticles. The germanium oxide films containing germanium nanocrystals are deposited at low temperatures onto germanium surface using the pulsed-laser deposition technique. As shown, the passivation results in 40−50% growth of thermal radiation from a forward-biased diode in the 3−12 μm spectral range due to increase of the effective charge-carrier lifetime in the diode base. 2008 Article Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 42.72.Ai,78.55.Ap,78.67.Pt,81.16.Mk,81.65.Rv,85.60.Dw,85.60.Jb http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76196 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация
приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в
спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода. |
| format |
Article |
| author |
Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| spellingShingle |
Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Болгов, С.С. Манойлов, Э.Г. Каганович, Э.Б. |
| author_sort |
Болгов, С.С. |
| title |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_short |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_full |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_fullStr |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_full_unstemmed |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| title_sort |
пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76196 |
| citation_txt |
Пассивация поверхности германиевых диодных структур
наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT bolgovss passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT manojlovég passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami AT kaganovičéb passivaciâpoverhnostigermanievyhdiodnyhstrukturnanočasticami |
| first_indexed |
2023-10-18T19:11:34Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:11:34Z |
| _version_ |
1796146242855632896 |