Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках

• Дата: 2008
• Автори: Заболотный, М.А., Кулиш, H.П., Дмитренко, О.П., Кобус, Е.С., Барабаш, Ю.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76198
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках / М.А. Заболотный, H.П. Кулиш, О.П. Дмитренко, Е.С. Кобус, Ю.М. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1043-1057. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Исследуется процесс фотогенерации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках, находящихся в сильных электрических полях. Использована теоретическая модель процесса, учитывающая диффузионно-дрейфовый характер движения носителей заряда. В рамках предложенной модели установлен экспоненциальный характер зависимости вероятности разделения близнецовой пары от времени. Постоянная времени сильно зависит от прыжкового расстояния носителя заряда и напряженности внешнего электрического поля, что согласуется с экспериментальными данными.