Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении

Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. Причиной этого является образо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Байдуллаева, А., Власенко, А.И., Гацкевич, Е.И., Гнатюк, В.А., Ивлев, Г.Д., Мозоль, П.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76205
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Е.И. Гацкевич, В.А. Гнатюк, Г.Д. Ивлев, П.Е. Мозоль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1167-1174. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную динамику отражения зондирующего излучения от нагреваемой зоны. Причиной этого является образование на короткое время слоистой системы, в которой условия интерференции при отражении зондирующих потоков излучения с λ₁ = 1,06 мкм и λ₂ = 0,53 мкм существенно различаются. Методом атомно-силовой спектроскопии показано, что на поверхности образца происходит образование поверхностных островков, латеральные размеры, высота и характер распределения которых зависят от плотности энергии облучения.