Исследование кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника - дигидродибензотетраазааннулена

• Дата: 2008
• Автор: Удовицкий, В.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76235
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника - дигидродибензотетраазааннулена / В.Г. Удовицкий // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1331-1342. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

В статье представлены результаты исследования кристаллической структуры тонких пленок дигидродибензотетраазааннулена (ТАА), полученных методом термической сублимации и конденсации в вакууме на различные неподогретые аморфные подложки. Исследование выполнялось рентгенодифрактометрическим методом с использованием CuKα-излучения. Сейчас для молекулярного кристалла ТАА известны две полиморфные модификации – G и G01, относящиеся к моноклинной сингонии. На рентгеновских дифрактограммах тонких пленок ТАА присутствуют два сильных рефлекса, свидетельствующие об их высокой текстурированности. Установлено, что исходный порошок ТАА содержит обе его полиморфные модификации, однако на начальном этапе конденсации в пленках ТАА преимущественно образуется G-форма. В более толстых пленках присутствуют обе полиморфные модификации. Выполнен теоретический расчет положения рентгеновских рефлексов для обеих полиморфных модификаций ТАА, на основе которого интерпретируются все особенности экспериментальных дифрактограмм. Экспериментально наблюдаемые эффекты объясняются в рамках классической модели минимума свободной поверхностной энергии критических кристаллических зародышей.