Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов

Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Дата:2009
Автори: Клето, Г.И., Мартынюк, Я.В., Савчук, А.И., Стребежев, В.Н., Обедзинский, Ю.К.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии изучалось влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO₂. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод—пленка.