Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов
Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии и...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76339 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-763392015-10-29T13:07:32Z Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов Клето, Г.И. Мартынюк, Я.В. Савчук, А.И. Стребежев, В.Н. Обедзинский, Ю.К. Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии изучалось влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO₂. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод—пленка. Сеґнетоелектричні плівки цирконату-титанату олива (ЦТС) товщиною 100—120 нм одержано методою ВЧ-катодного розпорошення п’єзоелектричної кераміки ЦТС-19 на стандартних кремнійових пластинах, попередньо покритих провідними шарами SnO₂ і Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методою растрової електронної мікроскопії вивчався вплив електродного підшару на структуру вакуумного конденсату. Форма петель діелектричної гістерези свідчить про наявність механічних напруг у зразках з використанням SnO₂. Показано, що число циклів перемикання електричної поляризації на тестових зразках у вигляді конденсаторів збільшується в структурах з оксидною електродою Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, що пояснюється зниженням механічної напруги на межі електрода—плівка. Lead zirconate—titanate ferroelectric films (PZT) of 100—120 nanometres in thickness are fabricated by RF cathode sputtering of PZT-19 piezoelectric ceramics on the standard silicon plates preliminary covered with conductive layers of SnO₂ and Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Influence of an electrode sublayer on structure of vacuum condensate is studied using scanning electron microscopy. The form of dielectric hysteresis loops testifies to presence of mechanical stresses in samples with SnO₂. As shown, the number of cycles of switching of electric polarization on test samples in the form of capacitors increases in structures with Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃ oxide electrode. It can be explained by the decrease of mechanical stress on the electrode—film boundary. 2009 Article Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 68.55.J-,77.84.Dy,81.05.Je,81.15.Cd,82.45.Fk,85.40.Sz,85.50.Gk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии изучалось влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO₂. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод—пленка. |
| format |
Article |
| author |
Клето, Г.И. Мартынюк, Я.В. Савчук, А.И. Стребежев, В.Н. Обедзинский, Ю.К. |
| spellingShingle |
Клето, Г.И. Мартынюк, Я.В. Савчук, А.И. Стребежев, В.Н. Обедзинский, Ю.К. Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Клето, Г.И. Мартынюк, Я.В. Савчук, А.И. Стребежев, В.Н. Обедзинский, Ю.К. |
| author_sort |
Клето, Г.И. |
| title |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| title_short |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| title_full |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| title_fullStr |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| title_full_unstemmed |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| title_sort |
наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339 |
| citation_txt |
Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки
для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев,
Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT kletogi nanorazmernyesegnetoélektričeskieplenkidlâintegralʹnyhzapominaûŝihélementov AT martynûkâv nanorazmernyesegnetoélektričeskieplenkidlâintegralʹnyhzapominaûŝihélementov AT savčukai nanorazmernyesegnetoélektričeskieplenkidlâintegralʹnyhzapominaûŝihélementov AT strebeževvn nanorazmernyesegnetoélektričeskieplenkidlâintegralʹnyhzapominaûŝihélementov AT obedzinskijûk nanorazmernyesegnetoélektričeskieplenkidlâintegralʹnyhzapominaûŝihélementov |
| first_indexed |
2023-10-18T19:11:49Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:11:49Z |
| _version_ |
1796146258659770368 |