Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов
Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии и...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Клето, Г.И., Мартынюк, Я.В., Савчук, А.И., Стребежев, В.Н., Обедзинский, Ю.К. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Пути совершенствования характеристик запоминающих устройств большой емкости
за авторством: Петров, В.В., та інші
Опубліковано: (2010) -
Наноразмерные гидриды алюминидов титана
за авторством: Казанцева, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008) -
Влияние магнитного поля на ссгнетооластические и сегнетоэлектрические свойства резкоземельных молибдатов
за авторством: Чупис, И.Е.
Опубліковано: (1995) -
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
за авторством: Ходаковский, Н.И.
Опубліковано: (2019) -
Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)