Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si

• Дата: 2011
• Автори: Севрюкова, В.А., Зубарев, Е.Н., Кондратенко, В.В., Першин, Ю.П., Цебенко, В.О.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76350
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si / В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 102–114. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации.