2025-02-23T16:54:18-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76350%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:54:18-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76350%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:54:18-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:54:18-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si

Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si

Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые с...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Севрюкова, В.А., Зубарев, Е.Н., Кондратенко, В.В., Першин, Ю.П., Цебенко, В.О.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76350
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации.

Similar Items