Нанокристаллические пленки оксида церия для биолюминесцентных сенсорных систем
Изучены свойства нанокристаллических пленок оксида церия, установлены основные закономерности их формирования в зависимости от технологических режимов вакуумного нанесения методом взрывного испарения и типа подложки с целью создания высокочувствительных фотоприемников. Морфология поверхности пленок...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76387 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Нанокристаллические пленки оксида церия для биолюминесцентных сенсорных систем / А.В. Борисов, А.Н. Шмырева, Н.В. Максимчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 245-254. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Изучены свойства нанокристаллических пленок оксида церия, установлены основные закономерности их формирования в зависимости от технологических режимов вакуумного нанесения методом взрывного испарения и типа подложки с целью создания высокочувствительных фотоприемников. Морфология поверхности пленок СеОх исследовалась методом атомно-силовой микроскопии, а электронная структура пленок – методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На фотоэлектронном спектре наблюдаются максимумы трёх- и четырёхвалентного Се. Показано, что наибольшей фоточувствительностью в спектральном диапазоне 380—450 нм обладают нанокристаллические пленки со структурой Si/SiO₂/CeOx, осажденные при температуре 200°С, и пленки со структурой Si/Si₃N₄/CeOx c температурами осаждения 200°С и 300°С. Минимальным ТКС в области рабочих температур обладают пленки, нанесенные на подложку из SiO₂ при температуре 200°С, – 0,36%/град. |
---|