Формування структурної неоднорідності приповерхневого шару плівок залізо-ітрієвого ґранату шляхом імплантації іонів Si⁺
Представлено результати досліджень приповерхневих шарів плівок ЗІҐ, імплантованих іонами Si⁺ дозою 5⋅10¹³ см⁻² в діапазоні енергій 100 – 150 кеВ. Математичне моделювання процесу іонноі імплантації показало, що утворення пар Френкеля та дефектів більш складного типу є рівноймовірним. Теоретично розра...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76408 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формування структурної неоднорідності приповерхневого шару плівок залізо-ітрієвого ґранату шляхом імплантації іонів Si⁺ / Б.К. Остафійчук, О.З. Гарпуль, В.М. Пилипів, І.П. Яремій, В.В. Куровець // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 150–156. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлено результати досліджень приповерхневих шарів плівок ЗІҐ, імплантованих іонами Si⁺ дозою 5⋅10¹³ см⁻² в діапазоні енергій 100 – 150 кеВ. Математичне моделювання процесу іонноі імплантації показало, що утворення пар Френкеля та дефектів більш складного типу є рівноймовірним. Теоретично розраховано профіль концентрації радіаційних дефектів, який в основному формується дефектами, утвореними внаслідок пружних взаємодій іона-імплантата з атомами мішені. Експериментально встановлено, що імплантація іонів Si⁺ у плівки ЗІҐ призводить до утворення в приповерхневому шарі монотонно-спадних профілів відносної деформації. |
|---|