Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію
При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з підвищеним вмістом водню й а...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76425 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологічні методи керування властивостями наноструктурованого кремнію / Т.Ю. Білик, О.М. Шмирєва, М.М. Мельниченко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 395-402. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | При формуванні наноструктурованого кремнію на підложжях монокристалічного кремнію відбувається зміна не тільки структурних властивостей, що призводить до зміни ширини забороненої зони і прояву квантоворозмірних ефектів, але й утворення на поверхні нових сполук кремнію з
підвищеним вмістом водню й аморфного кремнію. Така складна структура обумовлює прояв нових електрофізичних, фотоелектричних, теплофізичних та фотолюмінесцентних властивостей, що дозволяє створювати
нові типи напівпровідникових приладів, зокрема, фотоприймачі короткохвильової частини спектру. Метою даної роботи є подальше дослідження технологічних метод керування функціональними властивостями наноструктурованого кремнію із застосуванням нових складів щавників. |
|---|