Темплати наноструктур на основі полімерних напівпровідників
Застосування темплатів є одним із найбільш дійових засобів одержання сучасних функціональних нано- та мікроструктурованих матеріялів. В роботі показано можливість використання електрографічного процесу для створення планарних темплатів зі штучним поверхневим рельєфом. Використання полімерних нап...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76426 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Темплати наноструктур на основі полімерних напівпровідників / М.Ю. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 403-410. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Застосування темплатів є одним із найбільш дійових засобів одержання
сучасних функціональних нано- та мікроструктурованих матеріялів. В
роботі показано можливість використання електрографічного процесу
для створення планарних темплатів зі штучним поверхневим рельєфом.
Використання полімерних напівпровідників (ПНП) в такому процесі дозволяє забезпечити циклічне створення геометричного рельєфу з модульованим електростатичним зарядом на поверхні темплату у реальному
часі. Це дозволяє оптимізувати параметри створення темплатів з різною
структурою. Вивчено властивості нового виду оптичної пам’яті ПНП на
основі поліепоксипропілкарбазола. На основі такого ефекту одержано темплати з різною рельєфною та польовою топологією. Дослідження релаксації поверхневого потенціялу, розвитку геометричного рельєфу на вільній поверхні ПНП показали, що в ПНП при температурі трохи нижче температури утворення геометричного рельєфу утворюється термостимульований гетерозаряд (ТСГЗ), величина якого пропорційна початковому
заряду. Релаксація поверхневого потенціялу залежить від величини та
знаку створеного в об’ємі ПНП електричного заряду та має три характерні
ділянки. Знайдено значення оптимальної температури та часу утворення
ТСГЗ. При створенні полімерного темплату з використанням ТСГЗ було
встановлено, що смуга просторових частот, які передаються, співпадає зі
смугою звичайного способу реєстрації оптичних голограм; паразитні смуги відсутні. Наявність ТСГЗ в об’ємі темплату сприяє льокальному осадженню металу на його поверхню. Практична реалізація даного ефекту
дозволяє одержати темплати складної топології за допомогою метод голографічної літографії в реальному масштабі часу. |
---|