Темплати наноструктур на основі полімерних напівпровідників

Застосування темплатів є одним із найбільш дійових засобів одержання сучасних функціональних нано- та мікроструктурованих матеріялів. В роботі показано можливість використання електрографічного процесу для створення планарних темплатів зі штучним поверхневим рельєфом. Використання полімерних нап...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Дата:2009
Автор: Барабаш, М.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76426
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Темплати наноструктур на основі полімерних напівпровідників / М.Ю. Барабаш // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 2. — С. 403-410. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Застосування темплатів є одним із найбільш дійових засобів одержання сучасних функціональних нано- та мікроструктурованих матеріялів. В роботі показано можливість використання електрографічного процесу для створення планарних темплатів зі штучним поверхневим рельєфом. Використання полімерних напівпровідників (ПНП) в такому процесі дозволяє забезпечити циклічне створення геометричного рельєфу з модульованим електростатичним зарядом на поверхні темплату у реальному часі. Це дозволяє оптимізувати параметри створення темплатів з різною структурою. Вивчено властивості нового виду оптичної пам’яті ПНП на основі поліепоксипропілкарбазола. На основі такого ефекту одержано темплати з різною рельєфною та польовою топологією. Дослідження релаксації поверхневого потенціялу, розвитку геометричного рельєфу на вільній поверхні ПНП показали, що в ПНП при температурі трохи нижче температури утворення геометричного рельєфу утворюється термостимульований гетерозаряд (ТСГЗ), величина якого пропорційна початковому заряду. Релаксація поверхневого потенціялу залежить від величини та знаку створеного в об’ємі ПНП електричного заряду та має три характерні ділянки. Знайдено значення оптимальної температури та часу утворення ТСГЗ. При створенні полімерного темплату з використанням ТСГЗ було встановлено, що смуга просторових частот, які передаються, співпадає зі смугою звичайного способу реєстрації оптичних голограм; паразитні смуги відсутні. Наявність ТСГЗ в об’ємі темплату сприяє льокальному осадженню металу на його поверхню. Практична реалізація даного ефекту дозволяє одержати темплати складної топології за допомогою метод голографічної літографії в реальному масштабі часу.