Міжфазові взаємодії та електрична провідність в композитах вуглецеві нанорурки/рідкий кристал

Методами ДСК, ІЧ-спектроскопії та міряння електропровідности досліджено поведінку багатошарових вуглецевих нанорурок (НР), дисперґованих у мезогенній матриці (ЕББА). Результати свідчать про наявність сильної інтеґрації між НР і ЕББА в інтервалі концентрацій НР між 0,05 і 1% мас. Втілення НР в ЕББА...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Дата:2009
Автори: Лебовка, М., Гончарук, А., Бойко, Ю., Лисецький, Л., Пучковська, Г., Гаврилко, Т., Баран, Я., Дрозд, М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76534
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Міжфазові взаємодії та електрична провідність в композитах вуглецеві нанорурки/рідкий кристал / М. Лебовка, А. Гончарук, Ю. Бойко, Л. Лисецький, Г. Пучковська, Т. Гаврилко, Я. Баран, М. Дрозд // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 3. — С. 701-715. — Бібліогр.: 38 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Методами ДСК, ІЧ-спектроскопії та міряння електропровідности досліджено поведінку багатошарових вуглецевих нанорурок (НР), дисперґованих у мезогенній матриці (ЕББА). Результати свідчать про наявність сильної інтеґрації між НР і ЕББА в інтервалі концентрацій НР між 0,05 і 1% мас. Втілення НР в ЕББА призводить до підвищення температур фазових переходів як з нематичної до ізотропної, так і з кристалічної до нематичної фази. Дані ІЧ-спектроскопії свідчать про підвищення енергії міжфазової взаємодії при підвищенні концентрації НР. Дані з електричної провідности підтверджують присутність перколяційного переходу за концентрацій НР, вищих за 0,05—0,1% мас. Нелінійні залежності електричної провідности від прикладеної напруги свідчать про важливість стрибкового механізму транспорту заряду та наявність широкого розподілу значень висоти стрибкових бар’єрів.