Міжфазові взаємодії та електрична провідність в композитах вуглецеві нанорурки/рідкий кристал
Методами ДСК, ІЧ-спектроскопії та міряння електропровідности досліджено поведінку багатошарових вуглецевих нанорурок (НР), дисперґованих у мезогенній матриці (ЕББА). Результати свідчать про наявність сильної інтеґрації між НР і ЕББА в інтервалі концентрацій НР між 0,05 і 1% мас. Втілення НР в ЕББА...
Збережено в:
Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
---|---|
Дата: | 2009 |
Автори: | , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76534 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Міжфазові взаємодії та електрична провідність в композитах вуглецеві нанорурки/рідкий кристал / М. Лебовка, А. Гончарук, Ю. Бойко, Л. Лисецький, Г. Пучковська, Т. Гаврилко, Я. Баран, М. Дрозд // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 3. — С. 701-715. — Бібліогр.: 38 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Методами ДСК, ІЧ-спектроскопії та міряння електропровідности досліджено поведінку багатошарових вуглецевих нанорурок (НР), дисперґованих у мезогенній матриці (ЕББА). Результати свідчать про наявність сильної інтеґрації між НР і ЕББА в інтервалі концентрацій НР між 0,05 і
1% мас. Втілення НР в ЕББА призводить до підвищення температур фазових переходів як з нематичної до ізотропної, так і з кристалічної до нематичної фази. Дані ІЧ-спектроскопії свідчать про підвищення енергії
міжфазової взаємодії при підвищенні концентрації НР. Дані з електричної провідности підтверджують присутність перколяційного переходу за
концентрацій НР, вищих за 0,05—0,1% мас. Нелінійні залежності електричної провідности від прикладеної напруги свідчать про важливість
стрибкового механізму транспорту заряду та наявність широкого розподілу значень висоти стрибкових бар’єрів. |
---|