Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями
Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76804 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76804 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-768042015-02-13T03:01:58Z Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи. Расчеты базируются на диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. Показано, что вклады процессов рассеяния электронов на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере по некоторому малому параметру. На примере кристалла железа исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями. Одержано вираз для двочастинкової Ґрінової функції (електропровідности) магнетних кристалів із сильними електронними кореляціями. Враховуються процеси розсіяння електронів на флюктуаціях спінової й електронної густин. Електронні стани описуються в рамках багатозонного моделю сильного зв’язку. Розрахунки базуються на діяграмній техніці для температурних Ґрінових функцій. Одержано кластерне розвинення для двочастинкової Ґрінової функції. За нульове одновузельне наближення в кластерному розвиненні обирається наближення когерентного потенціялу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів на кластерах зменшуються зі збільшенням числа вузлів у кластері за деяким малим параметром. На прикладі кристала заліза досліджено умови виникнення спін-залежного транспорту в системах із сильними електронними кореляціями. An expression for two-particle Green’s function (electroconductivity) of magnetic crystals with strong electron correlations is obtained. The processes of electron scattering by fluctuations of spin and electron densities are taken into consideration. The electron states of the system are described within thescope of the multiband tight-binding model. Calculations are based on the diagram technique for temperature Green’s functions. Cluster expansion for two-particle Green’s function is obtained. The coherent potential approximation (CPA) is chosen as a zero-order one-site approximation for this expansion. As shown, the contributions from the processes of scattering by clusters decrease as the number of atoms in a cluster increases, and this decrease can be parameterized by a certain small parameter. Conditions for appearance of spin-dependent transport in systems with strong electron correlations are studied as applied to the iron single crystal as an example. 2009 Article Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 71.10.Fd,71.20.Be,71.27.+a,72.10.Bg,72.15.Qm,72.25.Ba,75.10.-b http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76804 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях
спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи. Расчеты базируются на
диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. Показано, что вклады процессов рассеяния
электронов на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере по некоторому малому параметру. На примере кристалла железа
исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями. |
| format |
Article |
| author |
Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. |
| spellingShingle |
Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Репецкий, C.П. Наконечный, А.Г. Стащук, Б.В. |
| author_sort |
Репецкий, C.П. |
| title |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_short |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_full |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_fullStr |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_full_unstemmed |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| title_sort |
теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76804 |
| citation_txt |
Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными
электронными корреляциями / C.П. Репецкий, А.Г. Наконечный, Б.В. Стащук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 963-985. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT repeckijcp teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi AT nakonečnyjag teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi AT staŝukbv teoriâspinzavisimogotransportavsistemahssilʹnymiélektronnymikorrelâciâmi |
| first_indexed |
2023-10-18T19:12:27Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:12:27Z |
| _version_ |
1796146291518996480 |