Реакції у нанодротах при точковому контакті у системі метал—кремній
У роботі теоретично проаналізовано реакції метал—кремній у нанодротах, що спостерігалися у експериментах, виконаних в Університеті Каліфорнії (Лос-Анджелес) i в Університеті Цiнь Хуа (Тайвань) та опублікованих нещодавно в журналі Nano Letters. В експериментах, зокрема, встановлено, що при точково...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76810 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Реакції у нанодротах при точковому контакті у системі метал—кремній / А.О. Ковальчук, А.М. Гусак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 1163-1175. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | У роботі теоретично проаналізовано реакції метал—кремній у нанодротах,
що спостерігалися у експериментах, виконаних в Університеті Каліфорнії
(Лос-Анджелес) i в Університеті Цiнь Хуа (Тайвань) та опублікованих нещодавно в журналі Nano Letters. В експериментах, зокрема, встановлено,
що при точковому контакті нанодротів металу (на прикладі ніклю й кобальту) і чистого кремнію реакція з утворення силіциду відповідного металу
завжди починається з кінця кремнійового дроту, віддаленого від місця контакту. Ґрунтуючись на даних експерименту й доступних у літературі термодинамічних та кінетичних параметрах для ніклю, було побудовано аналітичний модель розрахунку, в рамках якого встановлено, що причиною
зародкування на вістрі може бути суттєва відмінність у значеннях повної
кривини поверхні на кінці нанодроту та в інших його місцях. Така особливість притаманна саме наносистемам і зумовлена двома основними факторами: малим часом дифузійної релаксації (час гомогенізації) та різкою залежністю кривини поверхні від її форми. |
---|