Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах

В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторсь...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Балабай, Р.М., Піскльонов, С.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76896
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-76896
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-768962015-02-14T03:01:17Z Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах Балабай, Р.М. Піскльонов, С.С. В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторське програмне забезпечення було виявлено, що механічне напруження плівки CdTe суттєво впливає на перебудову розподілу валентних електронів у плівці. Розподіл густини валентних електронів в гетеропереході отримує такий характер, котрий дозволяє сказати, що він узагальнюється для всіх атомів напружених пластів CdТе, а не тільки найближчої координаційної сфери. Показано, що дозволені енергетичні стани гетероструктури CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe перегруповуються з утворенням максимуму біля рівня Фермі. В данной работе методами функционала электронной плотности и псевдопотециала из первых принципов были получены распределения плотности валентных электронов и электронные энергетические спектры для напряженных гетеростуктур CdTe/ZnTe и гетероструктур CdTe/ ZnTe с квантовими точками CdTe. Используя авторское программное обеспечение, было обнаружено, что механическое напряжение пленки CdTe существенно влияет на перестройку распределения валентных электронов в пленке. Распределение плотности валентных электронов в гетеропереходе получает такой характер, который позволяет сказать, что он обобщается для всех атомов напряженных пластов CdТе, а не только ближайшей координационной сферы. Показано, что разрешенные энергетические состояния гетероструктуры CdTe/ZnTe с квантовыми точками CdTe перегруппировываются с образованием максимума около уровня Ферми. In this work, we used ab-initio calculations in the framework of the electron density functional theory and the pseudopotential have been obtained density distributions of valence electrons and the electron energy specters for strained geterostructures CdTe/ZnTe and geterostructures CdTe/ZnTe with quantum dots CdTe. Using author’s program code, it was found that the stress of the film CdTe significantly impacts on the restructuring of the distribution of valence electrons in the film. The density distribution of valence electrons in a geterostucture receives such a character that allows us to say that it can be generalized for all the atoms strained CdTe layers, not just the nearest coordination sphere. It is shown that the allowed energy states of the geterostructure CdTe/ZnTe with quantum dots CdTe rearrange to form a peak near the Fermi level. 2011 Article Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76896 621.315.592 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторське програмне забезпечення було виявлено, що механічне напруження плівки CdTe суттєво впливає на перебудову розподілу валентних електронів у плівці. Розподіл густини валентних електронів в гетеропереході отримує такий характер, котрий дозволяє сказати, що він узагальнюється для всіх атомів напружених пластів CdТе, а не тільки найближчої координаційної сфери. Показано, що дозволені енергетичні стани гетероструктури CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe перегруповуються з утворенням максимуму біля рівня Фермі.
format	Article
author	Балабай, Р.М. Піскльонов, С.С.
spellingShingle	Балабай, Р.М. Піскльонов, С.С. Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах Физическая инженерия поверхности
author_facet	Балабай, Р.М. Піскльонов, С.С.
author_sort	Балабай, Р.М.
title	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_short	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_full	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_fullStr	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_full_unstemmed	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_sort	електронні властивості напружених шарів cdte та znte у гетероструктурах
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76896
citation_txt	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT balabajrm elektronnívlastivostínapruženihšarívcdtetaznteugeterostrukturah AT písklʹonovss elektronnívlastivostínapruženihšarívcdtetaznteugeterostrukturah
first_indexed	2023-10-18T19:12:44Z
last_indexed	2023-10-18T19:12:44Z
_version_	1796146293770289152

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах

Репозитарії

Схожі ресурси