Исследования магнитных свойств гранулярной системы Co₀,₆ (Al₂On)₀,₄, обладающей эффектом изотропного положительного магнитосопротивления

• Дата: 2007
• Автори: Тимофеев, А.А., Рябченко, С.М., Лозенко, А.Ф., Троценко, П.А., Стогней, О.В., Ситников, А.В., Авдеев, С.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7721
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследования магнитных свойств гранулярной системы Co₀,₆ (Al₂On)₀,₄, обладающей эффектом изотропного положительного магнитосопротивления / А.А. Тимофеев, С.М. Рябченко, А.Ф. Лозенко,П.А. Троценко, О.В. Стогней, А.В. Ситников , С.Ф. Авдеев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 11. — С. 1282–1297. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

В гранулярной ферромагнитной пленке Co₀,₆ (Al₂On)₀,₄₁, обладающей в диапазоне магнитных полей ± 500 Э изотропным (не зависящим от угла между направлением тока и намагниченности в плоскости) положительным магнитосопротивлением, проведен комплекс магнитостатических, магниторезонансных (ФМР) и магнитотранспортных измерений в интервале температур 100–360 К. Установлено, что данная аномалия магнитосопротивления обусловлена эффектами ближнего порядка в упорядоченности магнитных моментов гранул при отсутствии внешнего магнитного поля, навязанной их дипольно-дипольным взаимодействием. Установлено, что температура блокировки термоактивированной переориентации магнитных моментов гранул существенно различна по отношению к времени измерения в использованных для данного исследования методах. Она составляет около 200 К для измерений намагниченности и превышает 470 К для ФМР и измерений магнитосопротивления. Показано, что ферромагнитный резонанс исследуемой системы меняется от режима «независимого резонанса отдельных кластеров» к режиму «коллективного резонанса системы магнитных гранул в пленке» при изменении направления магнитного поля от лежащего в плоскости к направленному вдоль нормали к пленке.