Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...
Збережено в:
Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
---|---|
Дата: | 2011 |
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78041 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через
боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров
диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров. |
---|