Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами

Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2011
Автори: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Вакуумна та твердотільна електроніка
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78041
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-78041
record_format dspace
spelling irk-123456789-780412015-03-11T03:01:54Z Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Вакуумна та твердотільна електроніка Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров. The impedance characteristics diodes having negative differential conductivity (NDC) in result of tunneling or resonance tunneling electron across diode lateral are considered. This NDC can be used for generation, amplifier and multiplication. The active and reactive parts of impedance versus frequency for real diode parameters are determined. It is shown that limiting frequency of NDC diode is corresponded to THz range and depends on diode parameters. Розглядаються імпедансні характеристики діодів, у яких при зазначених напругах виникає негативна диференціальна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бокові грані діода, яка може бути використана для генерації, посилення, помноження частоти. Визначено залежності активної та реактивної складових імпеданса діода з тунельними і резонансно- тунельними межами для реальних параметрів діодов. Показано, що гранична частота НДП діода знаходиться в терагерцевому діапазоні і залежить від його параметрів. 2011 Article Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78041 621.382.2.029.64 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумна та твердотільна електроніка
Вакуумна та твердотільна електроніка
spellingShingle Вакуумна та твердотільна електроніка
Вакуумна та твердотільна електроніка
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Радіофізика та електроніка
description Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров.
format Article
author Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
author_facet Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
author_sort Прохоров, Э.Д.
title Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_short Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_full Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_fullStr Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_full_unstemmed Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_sort импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Вакуумна та твердотільна електроніка
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78041
citation_txt Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT prohorovéd impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
AT boculaov impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
AT klimenkooa impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
first_indexed 2023-10-18T19:15:34Z
last_indexed 2023-10-18T19:15:34Z
_version_ 1796146429010378752

Схожі ресурси