Зависимость частот поверхностных электромагнитных состояний в фотонных кристаллах от параметров двухслойной диэлектрической элементарной ячейки

Теоретически исследованы поверхностные электромагнитные состояния (ПЭС) на границе раздела фотонного кристалла и плазмоподобной среды. Предполагалось, что элементарная ячейка фотонного кристалла состоит из двух различных немагнитных диэлектриков. Изучено изменение частот ПЭС при изменении конфиг...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2011
Автори: Аверков, Ю.О., Белецкий, Н.Н., Яковенко, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78056
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Зависимость частот поверхностных электромагнитных состояний в фотонных кристаллах от параметров двухслойной диэлектрической элементарной ячейки / Ю.О. Аверков, Н.Н. Белецкий, В.М. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 40-47. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Теоретически исследованы поверхностные электромагнитные состояния (ПЭС) на границе раздела фотонного кристалла и плазмоподобной среды. Предполагалось, что элементарная ячейка фотонного кристалла состоит из двух различных немагнитных диэлектриков. Изучено изменение частот ПЭС при изменении конфигурации элементарной ячейки фотонного кристалла. Показано, что при определенных параметрах элементарной ячейки фотонного кристалла могут существовать несколько ПЭС, отличающихся частотами и степенью локализации электромагнитного поля в фотонном кристалле и плазмоподобной среде. Продемонстрирована возможность существования ПЭС в структурах типа металл−фотонный кристалл со слоями SiO₂ и Si, широко применяющихся в приложениях кремниевой нанофотоники.