Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный перехо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78088
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-78088
record_format dspace
spelling irk-123456789-780882015-03-11T03:02:23Z Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. Радіофізика твердого тіла та плазми Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход. The tunneling of electrons through a nonstationary tunneling junction in the framework of the one-quantum electron tunnel transition approximation is investigated. The effect of the thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the high-frequency electron current on the frequency and applied dc bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on the active and reactive parts of the high-frequency electron current is studied Досліджено тунелювання електронів крізь неста- ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. 2011 Article Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78088 537.86 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Радіофізика твердого тіла та плазми
Радіофізика твердого тіла та плазми
spellingShingle Радіофізика твердого тіла та плазми
Радіофізика твердого тіла та плазми
Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
Радіофізика та електроніка
description Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход.
format Article
author Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
author_facet Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
author_sort Абдулкадыров, Д.В.
title Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_short Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_full Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_fullStr Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_full_unstemmed Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_sort высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Радіофізика твердого тіла та плазми
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78088
citation_txt Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT abdulkadyrovdv vysokočastotnyjélektronnyjtokčereznestacionarnyjtunnelʹnyjperehod
AT beleckijnn vysokočastotnyjélektronnyjtokčereznestacionarnyjtunnelʹnyjperehod
AT borisenkosa vysokočastotnyjélektronnyjtokčereznestacionarnyjtunnelʹnyjperehod
first_indexed 2023-10-18T19:15:40Z
last_indexed 2023-10-18T19:15:40Z
_version_ 1796146434007891968