Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78089 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-78089 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-780892015-03-11T03:02:28Z Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Вакуумна та твердотільна електроніка Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц. The current-voltage characteristics and the generation efficiency diodes with tunnel boundaries (TB) in structures of the «sandwich» based on GaAs are investigated. The effect of resistance between the contacts of the diode structure and the resistance in series with the TG on the efficiency of generation at the fundamental and harmonic frequencies is shown. Frequency limit of the diodes with TB is estimated. The possibility of harmonic generation and frequency multiplication using diodes with TG in the range of tens to hundreds of gigahertz is shown. Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Показано, як впливають опори між контактами діодної структури й опори, включені послідовно з тунельною межою, на ефективність генерації на основній частоті та частотах гармонік. Оцінено частотну границю роботи діодів з тунельними межами. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з тунельною межою в діапазоні десятки-сотні гігагерц. 2011 Article Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78089 621.382.2 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Вакуумна та твердотільна електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка |
| spellingShingle |
Вакуумна та твердотільна електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs Радіофізика та електроніка |
| description |
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц. |
| format |
Article |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_sort |
Прохоров, Э.Д. |
| title |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_short |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_fullStr |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full_unstemmed |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_sort |
генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе gaas |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78089 |
| citation_txt |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Радіофізика та електроніка |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT boculaov generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT klimenkooa generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas |
| first_indexed |
2023-10-18T19:15:40Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:15:40Z |
| _version_ |
1796146434113798144 |