Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs

• Дата: 2011
• Автори: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78089
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...