Поведение гелия и особенности развития микроструктуры в модельных сплавах никеля и ванадия

• Дата: 2000
• Автори: Калин, Б.А., Чернов, И.И., Калашников, А.Н., Бинюкова, С.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78137
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Поведение гелия и особенности развития микроструктуры в модельных сплавах никеля и ванадия / Б.А. Калин, И.И. Чернов, А.Н. Калашников, С.Ю. Бинюкова // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 20-23. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и термодесорбционной спектрометрии (ТДС) проведено сравнительное исследование поведения ионно-внедренного гелия и формирования газовой пузырьковой микроструктуры в ГЦК-(никель) и ОЦК-(ванадий) металлах в зависимости от концентрации легирующих элементов замещения (алюминий в Ni и титан в V). Показано, что при послерадиационных отжигах облученных при комнатной температуре образцов легирование в обоих типах сплавов существенно снижает размеры и увеличивает плотность формирующихся пузырьков. В сплавах Ni-Al при послерадиационном равномерном нагреве пики ТДС смещаются в область высоких температур с увеличением содержания Al, а в сплавах V-Ti - в область меньших температур c увеличением концентрации Ti, хотя эффективная энергия активации газовыделения в обоих случаях возрастает. Полученные данные обсуждены с точки зрения влияния легирования на механизмы роста и миграции пузырьков.