Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем
Целью настоящей работы является исследование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, как высокоэффективного средства для нанесения алмазной пленки и роста отдельных кристаллов алмаза, а также обсуждение процессов роста кристаллов алмаза и синтеза сплошной алмазной пленки на подложках и...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78213 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем / О.А. Опалев, В.К. Пашнев, И.К. Ковальчук, В.Е. Стрельницкий, В.А. Белоус, З.И. Колупаева // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 158-164. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |