Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78333 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей µ(Т) с расчетными в температурном интервале 77…291 К для негидрогенизированных и гидрогенизированных необлученных и облученных γ-квантами кристаллов. Показано, что основным механизмом рассеяния, определяющим подвижность носителей заряда в облученном негидрогенизированном материале, является рассеяние на заряженных центрах, какими являются радиационные дефекты в облученном γ-квантами GaAs; возможно присутствие двукратно ионизованных дефектов. Роль рассеяния носителей заряда на ионизированных центрах в облученных той же дозой γ-квантов гидрогенизированных предварительно кристаллах n-GaAs значительно меньше, чем в негидрогенизированных кристаллах. Это означает, что концентрация рассеивающих заряженных дефектов радиационного происхождения в гидрогенизированных кристаллах значительно меньше, чем в необработанных в водородной плазме, из-за пассивации их водородом. |
|---|