Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа

• Main Authors: Коршунов, Ф.П., Курилович, Н.Ф., Прохоренко, Т.А., Шешолко, В.К., Бумай, Ю.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Series: Вопросы атомной науки и техники
• Subjects: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78333

Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей µ(Т) с расчетными в температурном интервале 77…291 К для негидрогенизированных и гидрогенизированных необлученных и облученных γ-квантами кристаллов. Показано, что основным механизмом рассеяния, определяющим подвижность носителей заряда в облученном негидрогенизированном материале, является рассеяние на заряженных центрах, какими являются радиационные дефекты в облученном γ-квантами GaAs; возможно присутствие двукратно ионизованных дефектов. Роль рассеяния носителей заряда на ионизированных центрах в облученных той же дозой γ-квантов гидрогенизированных предварительно кристаллах n-GaAs значительно меньше, чем в негидрогенизированных кристаллах. Это означает, что концентрация рассеивающих заряженных дефектов радиационного происхождения в гидрогенизированных кристаллах значительно меньше, чем в необработанных в водородной плазме, из-за пассивации их водородом.