Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78333 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-78333 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Коршунов, Ф.П. Курилович, Н.Ф. Прохоренко, Т.А. Шешолко, В.К. Бумай, Ю.А. Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей µ(Т) с расчетными в температурном интервале 77…291 К для негидрогенизированных и гидрогенизированных необлученных и облученных γ-квантами кристаллов. Показано, что основным механизмом рассеяния, определяющим подвижность носителей заряда в облученном негидрогенизированном материале, является рассеяние на заряженных центрах, какими являются радиационные дефекты в облученном γ-квантами GaAs; возможно присутствие двукратно ионизованных дефектов. Роль рассеяния носителей заряда на ионизированных центрах в облученных той же дозой γ-квантов гидрогенизированных предварительно кристаллах n-GaAs значительно меньше, чем в негидрогенизированных кристаллах. Это означает, что концентрация рассеивающих заряженных дефектов радиационного происхождения в гидрогенизированных кристаллах значительно меньше, чем в необработанных в водородной плазме, из-за пассивации их водородом. |
| format |
Article |
| author |
Коршунов, Ф.П. Курилович, Н.Ф. Прохоренко, Т.А. Шешолко, В.К. Бумай, Ю.А. |
| author_facet |
Коршунов, Ф.П. Курилович, Н.Ф. Прохоренко, Т.А. Шешолко, В.К. Бумай, Ю.А. |
| author_sort |
Коршунов, Ф.П. |
| title |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа |
| title_short |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа |
| title_full |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа |
| title_fullStr |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа |
| title_full_unstemmed |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа |
| title_sort |
влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰со нелегированном gaas n-типа |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78333 |
| citation_txt |
Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT koršunovfp vliânievodorodanaprocessyrasseâniânositelejzarâdavoblučennomgkvantami60sonelegirovannomgaasntipa AT kurilovičnf vliânievodorodanaprocessyrasseâniânositelejzarâdavoblučennomgkvantami60sonelegirovannomgaasntipa AT prohorenkota vliânievodorodanaprocessyrasseâniânositelejzarâdavoblučennomgkvantami60sonelegirovannomgaasntipa AT šešolkovk vliânievodorodanaprocessyrasseâniânositelejzarâdavoblučennomgkvantami60sonelegirovannomgaasntipa AT bumajûa vliânievodorodanaprocessyrasseâniânositelejzarâdavoblučennomgkvantami60sonelegirovannomgaasntipa |
| first_indexed |
2023-10-18T19:16:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:16:12Z |
| _version_ |
1796146459025866752 |
| spelling |
irk-123456789-783332015-03-14T03:02:30Z Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа Коршунов, Ф.П. Курилович, Н.Ф. Прохоренко, Т.А. Шешолко, В.К. Бумай, Ю.А. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей µ(Т) с расчетными в температурном интервале 77…291 К для негидрогенизированных и гидрогенизированных необлученных и облученных γ-квантами кристаллов. Показано, что основным механизмом рассеяния, определяющим подвижность носителей заряда в облученном негидрогенизированном материале, является рассеяние на заряженных центрах, какими являются радиационные дефекты в облученном γ-квантами GaAs; возможно присутствие двукратно ионизованных дефектов. Роль рассеяния носителей заряда на ионизированных центрах в облученных той же дозой γ-квантов гидрогенизированных предварительно кристаллах n-GaAs значительно меньше, чем в негидрогенизированных кристаллах. Это означает, что концентрация рассеивающих заряженных дефектов радиационного происхождения в гидрогенизированных кристаллах значительно меньше, чем в необработанных в водородной плазме, из-за пассивации их водородом. Досліджено вплив попередньої обробки у водневій плазмі (гідрогенізація) на явища розсіяння носіїв заряду у нелегованому арсеніді галію n-типу з n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ та µ₀≅(5...6).10³см²/(B.с), опроміненому γ -квантами ⁶⁰Со Проведено порівняннє експериментально отриманих залежностей µ(Тз розрахунковими) у температурнім інтервалі 77…291 К для негідрогенізованих та гідрогенізованих неопромiнених та опромінених γ -квантами кристалів. Показано, що основним механізмом розсіяння, що визначає рухливість носіїв заряду в опроміненому негідрогенізованому матеріалі є розсіяннє на заряджених центрах, якими є радіаційні дефекти в опроміненому γ -квантами GaAs; можлива присутність двократно іонізованих дефектів. Роль розсіяння носіїв заряду на іонізованих центрах в опромінених тією ж самою дозою γ -квантів гідрогенізованих попередньо кристалів n-GaAs значно меньша, ніж у негідрогенізованих кристалах. Це означає, що концентрація розсіюючих заряджених дефектів радіаційного походження у гідрогенізованих кристалах значно нижча, ніж у необроблених у водневій плазмі внаслідок пасивування їх воднем. The pretreatment in hydrogen plasma ( the hydrogenation ) influences on the charge carrier dissipation processes in the non-alloyed gallium arsenide of n-type with n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ and µ₀≅(5...6).10³см² /( bc ) irradiated by γ-quantums ⁶⁰Co was studied . The comparison of experimental dependence µ( T ) with the designed one in the temperature range 77…291 K for non-hydrogenized and hydrogenized non irradiated and γ - quantum irradiated crystals was carried out. It is shown that the main dissipative mechanism that determine the charged carrier mobility in the non hydrogenized material is th dissipation on the charged centers - the radiation defects in the γ - quantum irradiated GaAs; the presence of double ionized defects is possible. The effect of charged carrier dissipation on the ionized centers in the irradiated by the same γ - quantum dose of prehydrogenized n-GaAs crystals is considerably lower than in the non-hydrogenized crystals. It means that the concentration of dissipative charged defects of radiation origin in the hydrogenized crystals is lower than that in the crystals not treated in the hydrogenum plasma due to their passivation by hydrogen. 2001 Article Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78333 538.22 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |