Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2001
Автори: Исмайлов, К.А., Статов, В.А., Тагаев, М.Б., Камалов, А.Б.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-78346
record_format dspace
spelling irk-123456789-783462015-03-14T03:02:23Z Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения Исмайлов, К.А. Статов, В.А. Тагаев, М.Б. Камалов, А.Б. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур. Наведені експериментальні дані про вплив γ- та β-випромінювань на вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики діодних структур з бар’єром Шоттки Au-Al-GaAs та Au-Ti-GaAs. Виявлено інтервал доз, в якому покращуються параметри діодних структур. The experimental data on γ- and β-irradiation effect on the volt amper and volt-farad characteristics of diod structures with Schottky barrier Au-Al-GaAs and Au-Ti-GaAs are presented . The dose interval with this improved diode structures parameters is revealed. 2001 Article Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346 621. 382.2 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
spellingShingle Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Исмайлов, К.А.
Статов, В.А.
Тагаев, М.Б.
Камалов, А.Б.
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
Вопросы атомной науки и техники
description Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур.
format Article
author Исмайлов, К.А.
Статов, В.А.
Тагаев, М.Б.
Камалов, А.Б.
author_facet Исмайлов, К.А.
Статов, В.А.
Тагаев, М.Б.
Камалов, А.Б.
author_sort Исмайлов, К.А.
title Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
title_short Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
title_full Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
title_fullStr Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
title_full_unstemmed Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
title_sort радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2001
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346
citation_txt Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT ismajlovka radiacionnyeéffektyvarsenidgallievyhpoverhnostnobarʹernyhstrukturahvoznikaûŝiepodvozdejstviemgibizlučeniâ
AT statovva radiacionnyeéffektyvarsenidgallievyhpoverhnostnobarʹernyhstrukturahvoznikaûŝiepodvozdejstviemgibizlučeniâ
AT tagaevmb radiacionnyeéffektyvarsenidgallievyhpoverhnostnobarʹernyhstrukturahvoznikaûŝiepodvozdejstviemgibizlučeniâ
AT kamalovab radiacionnyeéffektyvarsenidgallievyhpoverhnostnobarʹernyhstrukturahvoznikaûŝiepodvozdejstviemgibizlučeniâ
first_indexed 2023-10-18T19:16:15Z
last_indexed 2023-10-18T19:16:15Z
_version_ 1796146460407889920