Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

• Видавець: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
• Дата: 2001
• Автори: Исмайлов, К.А., Статов, В.А., Тагаев, М.Б., Камалов, А.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346
• Цитувати: Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур....