Linear polarization of photons produced by the electrons moving along the crystallographic plane in a silicon crystal

We present the results of the polarization and intensity measurements versus photon energy Eg=5-35 MeV for the photon beam produced by the electrons with the energies 1.2 and 1.5 GeV moving in the silicon crystal 500 and 290 mm thick along the (110) plane. The comparison with results of another rese...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2001
Автори: Denyak, V.V., Khvastunov, V.M., Likhachev, V.P., Paschuk, S.A., Schelin, H.R.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78448
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Linear polarization of photons produced by the electrons moving along the crystallographic plane in a silicon crystal / V.V. Denyak, V.M. Khvastunov, V.P. Likhachev, S.A. Paschuk, H.R. Schelin // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 1. — С. 60-62. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine