Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках

• Дата: 2008
• Автор: Набиев, Г.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения для нормального, аномального демберэффектов, и при переходе в область сильного поглощения аномальный дембер-эффект переходит в нормальный. При этом должно выполняться не только условие сильного поверхностного поглощения и сильной генерации, но и условие κD >> S1,2 (где κ – коэффициент поглощения света, D – коэффициент диффузии, S1,2 – скорость поверхностной рекомбинации граней). Как пример, рассчитаны спектральные, люкс-вольтовые, угловые зависимости и зависимость АФН-эффекта от толщины. Сопоставление расчетных и экспериментальных данных показы-вает, что в пленках реализуется случай аномального дембер-эффекта и перехода аномального дембер-эффекта в нормальный. На основе полученных результатов можно объяснить не только особенности АФН-эффекта, но и построить искусственные АФН-структуры.