Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках

• Main Author: Набиев, Г.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859

В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения для нормального, аномального демберэффектов, и при переходе в область сильного поглощения аномальный дембер-эффект переходит в нормальный. При этом должно выполняться не только условие сильного поверхностного поглощения и сильной генерации, но и условие κD >> S1,2 (где κ – коэффициент поглощения света, D – коэффициент диффузии, S1,2 – скорость поверхностной рекомбинации граней). Как пример, рассчитаны спектральные, люкс-вольтовые, угловые зависимости и зависимость АФН-эффекта от толщины. Сопоставление расчетных и экспериментальных данных показы-вает, что в пленках реализуется случай аномального дембер-эффекта и перехода аномального дембер-эффекта в нормальный. На основе полученных результатов можно объяснить не только особенности АФН-эффекта, но и построить искусственные АФН-структуры.