Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках

Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках

В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения д...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Набиев, Г.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7859
record_format dspace
spelling irk-123456789-78592015-02-16T13:18:16Z Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках Набиев, Г.А. В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения для нормального, аномального демберэффектов, и при переходе в область сильного поглощения аномальный дембер-эффект переходит в нормальный. При этом должно выполняться не только условие сильного поверхностного поглощения и сильной генерации, но и условие κD >> S1,2 (где κ – коэффициент поглощения света, D – коэффициент диффузии, S1,2 – скорость поверхностной рекомбинации граней). Как пример, рассчитаны спектральные, люкс-вольтовые, угловые зависимости и зависимость АФН-эффекта от толщины. Сопоставление расчетных и экспериментальных данных показы-вает, что в пленках реализуется случай аномального дембер-эффекта и перехода аномального дембер-эффекта в нормальный. На основе полученных результатов можно объяснить не только особенности АФН-эффекта, но и построить искусственные АФН-структуры. У роботі розроблена теорія АФН-ефекту (аномально великих фотонапруг) у напівпровідникових плівках з однорідними мікрообластями, що зв’язує величину й знак АФН із технологічними параметрами плівок і умовами освітлення. З отриманого аналітичного виразу випливають, зокрема вирази для нормального, аномального демберефектів і при переході в область сильного поглинання аномальний дембер-ефект переходить у нормальний. При цьому повинна виконуватися не тільки умова сильного поверхневого поглинання й сильної генерації, але й умова κD >> S1,2 (де κ – коефіцієнт поглинання світла, D – коефіцієнт дифузії, S1,2 – швидкість поверхневої рекоммбінації граней). Як приклад, розраховані спектральні, люкс-вольтові, кутові залежності й залежність АФН-ефекту від товщини. Зіставлення розрахункових й експериментальних даних показує, що в плівках реалізується випадок аномального дембер-ефекту й переходу аномального демберефекту в нормальний. На основі отриманих результатів можна пояснити не тільки особливості АФН-ефекту, але й побудувати штучні АФН-структури. It was worked out the theory of APV effect (anomalous high photo voltage) in semiconductor films with homogeneous micro regions connecting AVP and sign with technological film parameters and lighting condition. As a result of given analytic expression are the ones for normal, anomalous dember-effect which at transition to strong absorption field transform from anomalies to normal. In His case it must be carried out strong surface absorption and high generation condition, and κD >> S12 condition (κ – light absorption coefficient, D – diffusion coefficient, S12 – edge surface recombination velocity). For example, luxe-voltaic, angular, thickened dependences of AVP effect. Comparing measured and experimental data it was shown that in films was realized the case of anomalous dember effect and transition anomalous dember effect info normal. On the basis of given results it can be explained APV effect peculiarities and built artificial APV structures. 2008 Article Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения для нормального, аномального демберэффектов, и при переходе в область сильного поглощения аномальный дембер-эффект переходит в нормальный. При этом должно выполняться не только условие сильного поверхностного поглощения и сильной генерации, но и условие κD >> S1,2 (где κ – коэффициент поглощения света, D – коэффициент диффузии, S1,2 – скорость поверхностной рекомбинации граней). Как пример, рассчитаны спектральные, люкс-вольтовые, угловые зависимости и зависимость АФН-эффекта от толщины. Сопоставление расчетных и экспериментальных данных показы-вает, что в пленках реализуется случай аномального дембер-эффекта и перехода аномального дембер-эффекта в нормальный. На основе полученных результатов можно объяснить не только особенности АФН-эффекта, но и построить искусственные АФН-структуры.
format Article
author Набиев, Г.А.
spellingShingle Набиев, Г.А.
Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
author_facet Набиев, Г.А.
author_sort Набиев, Г.А.
title Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
title_short Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
title_full Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
title_fullStr Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
title_full_unstemmed Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
title_sort теория афн-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859
citation_txt Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT nabievga teoriâafnéffektasdemberovskimmehanizmomvpoluprovodnikovyhplenkah
first_indexed 2023-10-18T16:38:30Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:30Z
_version_ 1796139510486007808

Схожі ресурси