Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения д...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автор: | Набиев, Г.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2013) -
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
за авторством: Набиев, Г.А.
Опубліковано: (2008) -
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
за авторством: Набиев, Г.А.
Опубліковано: (2008) -
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (1999) -
Классическая теория эффекта Аронова–Бома
за авторством: Буданов, В.Е., та інші
Опубліковано: (2016)