2025-02-23T23:31:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7860%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:31:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7860%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:31:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T23:31:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Акбаров, К., Абдулхамидов, А., Алимов, Н., Отажонов, С.М., Шмарова, М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%.

Similar Items