Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Акбаров, К., Абдулхамидов, А., Алимов, Н., Отажонов, С.М., Шмарова, М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-7860
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-78602010-04-21T12:01:35Z Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%. Створено перспективну пару напівпровідників CdTe-ZnSe, у якій, крім прямої передачі світлових сигналів, буде забезпечене нагромадження зарядів. Фотодетектор даного типу буде працювати без зовнішнього джерела, якщо полікристалічний шар CdTe буде володіти аномально великою фотонапругою (АФН). При цьому підвищено ефективність збирання випромінювання люмінофора на 80%. It is created perspective couple of CdTe-ZnSe semiconductors, in which charge accumulation will be provided, expert light signals direct transimition. This photodetector will work with out an external source, if polycrystall CdTe film has anomal large photoresistance (APV), besides the effectivity of luminophor irradiation gathering up to 80 % is increased. 2008 Article Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860 621.315.593 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%.
format	Article
author	Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М.
spellingShingle	Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
author_facet	Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М.
author_sort	Акбаров, К.
title	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
title_short	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
title_full	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
title_fullStr	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
title_full_unstemmed	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
title_sort	стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе cdte-znse с глубокими примесными уровнями
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2008
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860
citation_txt	Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT akbarovk stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT abdulhamidova stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT alimovn stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT otažonovsm stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT šmarovam stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi
first_indexed	2023-10-18T16:38:30Z
last_indexed	2023-10-18T16:38:30Z
_version_	1796139510594011136

Репозитарії

Схожі ресурси