Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Мирзаева, З.И., Набиев, Г.А., Эргашов, К.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7862
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7862
record_format dspace
spelling irk-123456789-78622010-04-21T12:01:38Z Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках Мирзаева, З.И. Набиев, Г.А. Эргашов, К.М. В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивными, найдено выражение для фотонапряжения с учетом глубоких уровней прилипания для неосновных носителей заряда. Когда время жизни свободных неосновных носителей намного меньше времени жизни носителей на уровне прилипания в структуре, наблюдается фотоэлектретное состояние. В простейшем случае фотонапряжение релаксирует по экспоненциальному закону. Время релаксации исчисляется несколькими часами. Наиболее перспективным материалом для наблюдения фотоэлектретного состояния без внешнего поляризующего поля является кремний. Структуры, в которых наблюдается этот эффект, могут быть применены как элементы памяти и в электрофотографии. У роботі показані можливість і розроблена теорія фотоелектретного стану в однорідних напівпровідниках. Фотоелектретний стан виникає під час відсутності зовнішнього поляризуючого поля в результаті одного лише висвітлення. Для багатошарової структури з однорідними мікрообластями, що є фотоактивними, знайдий вираз для фотонапруги з урахуванням глибоких рівнів прилипання для неосновних носіїв заряду. Коли час життя вільних неосновних носіїв набагато менший часу життя носіїв на рівні прилипання, в структурі спостерігається фотоелектретний стан. У найпростішому випадку фотонапруга релаксує за експоненціальному законом. Час релаксації обчислюється декількома годинниками. Найбільш перспективним матеріалом для спостереження фотоэлектретного стану без зовнішнього поляризуючого поля є кремній. Структури, у яких спостерігається цей ефект, можуть бути застосовані як елементи пам’яті та в електрофотографії. In this work has been created the theory of the photoelectrets state in homogeneous semiconductors. The photo-electrets of such type can be created as the result of only the illumination without external electric field. In this case the polarizing factor is the difference of mobility electrons and holes. For multilayered structure with homogeneous micro areas being photoactive, the expression for a photo voltage is found in view of deep levels sticking for the non-basic carriers of the charge. The photo-electrets state is observed when the time of life of free non-basic carriers is much less than time of life of carriers at a level of sticking in structure. In the elementary case a photo voltage is relaxes on the exponential law. The time relaxation is estimated by several hours. The most perspective material for supervision of the photo-electrets state without external polarizing field is the silicon. Structures, in which this effect is observed can be applied as elements of memory and in electro photography. 2008 Article Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7862 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивными, найдено выражение для фотонапряжения с учетом глубоких уровней прилипания для неосновных носителей заряда. Когда время жизни свободных неосновных носителей намного меньше времени жизни носителей на уровне прилипания в структуре, наблюдается фотоэлектретное состояние. В простейшем случае фотонапряжение релаксирует по экспоненциальному закону. Время релаксации исчисляется несколькими часами. Наиболее перспективным материалом для наблюдения фотоэлектретного состояния без внешнего поляризующего поля является кремний. Структуры, в которых наблюдается этот эффект, могут быть применены как элементы памяти и в электрофотографии.
format Article
author Мирзаева, З.И.
Набиев, Г.А.
Эргашов, К.М.
spellingShingle Мирзаева, З.И.
Набиев, Г.А.
Эргашов, К.М.
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
author_facet Мирзаева, З.И.
Набиев, Г.А.
Эргашов, К.М.
author_sort Мирзаева, З.И.
title Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
title_short Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
title_full Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
title_fullStr Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
title_full_unstemmed Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
title_sort фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7862
citation_txt Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mirzaevazi fotoélektretnoesostoâniebezvnešnegopolârizuûŝegopolâvodnorodnyhpoluprovodnikah
AT nabievga fotoélektretnoesostoâniebezvnešnegopolârizuûŝegopolâvodnorodnyhpoluprovodnikah
AT érgašovkm fotoélektretnoesostoâniebezvnešnegopolârizuûŝegopolâvodnorodnyhpoluprovodnikah
first_indexed 2023-10-18T16:38:30Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:30Z
_version_ 1796139510806872064

Схожі ресурси