Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

• Дата: 2008
• Автори: Мирзаева, З.И., Набиев, Г.А., Эргашов, К.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7862
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивн...