2025-02-23T20:57:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7864%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:57:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7864%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:57:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T20:57:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия

Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия

В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Набиев, Г.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7864
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-7864
record_format dspace
spelling irk-123456789-78642010-04-21T12:01:53Z Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия Набиев, Г.А. В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied. 2008 Article Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7864 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром.
format Article
author Набиев, Г.А.
spellingShingle Набиев, Г.А.
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
author_facet Набиев, Г.А.
author_sort Набиев, Г.А.
title Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
title_short Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
title_full Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
title_fullStr Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
title_full_unstemmed Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
title_sort определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7864
citation_txt Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT nabievga opredelenieparametrovurovnejprilipaniâotvetstvennyhzafotoélektretnoesostoânievplenkahtelluridakadmiâ
first_indexed 2023-10-18T16:38:31Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:31Z
_version_ 1796139511019732992

Similar Items