Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів

Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Воробець, М.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7890
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7890
record_format dspace
spelling irk-123456789-78902010-04-21T12:02:16Z Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів Воробець, М.О. Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні тиску внаслідок збільшення площі прямого контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe. Зміни електричних та фотоелектричних параметрів гетероконтактів InSe/GaSe обговорюються з точки зору модифікації проміжного шару. Результати проведених досліджень свідчать про можливість керованої зміни параметрів гетеропереходів та варіювати використання їх у пристоях оптоелектроніки. Изучено влияние одноосного давления от 0 до 100 кПа при постоянной температуре 300 K в направлении перпендикулярном к плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe–p-GaSe на изменение электрических и фотоэлектрических параметров. Найдено, что плотность тока через гетерограницу увеличивается вследствие увеличения площади прямого контакта между поверхностями слоистых кристаллов GaSe и InSe. Изменение электрических и фотоэлектрических параметров гетероконтакта InSe/GaSe обсуждаются с точки зрения модификации границы раздела. Результаты проведенных исследований свидетельствуют о возможности управляемого изменения параметров гетеропереходов и варьировать использование их в приборах оптоэлектроники. The effect of uniaxial pressure from 0 to 100 kPa at a constant temperature 300 K in the direction perpendicular to the localization plane of the interface for n-InSe–p-GaSe heterojunction on a variation on the electrical and fotoelectrical parameters is studied. It has been found that the density of a current through heteroboundary increases by increase of a pressure due to increase of the area of direct contact between surfaces of layered GaSe and InSe crystals. The changes of the electrical and fotoelectrical parameters of the InSe/GaSe heterojunction are discussed from the point of view modification of the interface layer. These results indicate that it is possible to direct change the parameters of heterojunctions and to vary the uses in the devices of optoelectronics. 2008 Article Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7890 621.315.292 uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні тиску внаслідок збільшення площі прямого контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe. Зміни електричних та фотоелектричних параметрів гетероконтактів InSe/GaSe обговорюються з точки зору модифікації проміжного шару. Результати проведених досліджень свідчать про можливість керованої зміни параметрів гетеропереходів та варіювати використання їх у пристоях оптоелектроніки.
format Article
author Воробець, М.О.
spellingShingle Воробець, М.О.
Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
author_facet Воробець, М.О.
author_sort Воробець, М.О.
title Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
title_short Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
title_full Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
title_fullStr Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
title_full_unstemmed Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
title_sort вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7890
citation_txt Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT vorobecʹmo vplivtiskunaelektrofízičnívlastivostígranicírozdílugeterokontaktívnaosnovíšaruvatihkristalív
first_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
_version_ 1796139513254248448