Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів

Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Воробець, М.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7890
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine