2025-02-24T04:27:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7891%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T04:27:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7891%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T04:27:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T04:27:07-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Миронов, А.М., Купчишин, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7891
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5.

Similar Items