Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Миронов, А.М., Купчишин, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7891
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7891
record_format dspace
spelling irk-123456789-78912010-04-21T12:02:17Z Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5. На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків. On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented. 2008 Article Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7891 621.384:621.382 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5.
format Article
author Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Миронов, А.М.
Купчишин, А.И.
spellingShingle Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Миронов, А.М.
Купчишин, А.И.
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
author_facet Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В.
Миронов, А.М.
Купчишин, А.И.
author_sort Комаров, Ф.Ф.
title Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
title_short Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
title_full Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
title_fullStr Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
title_full_unstemmed Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
title_sort формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7891
citation_txt Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT komarovff formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij
AT milʹčaninov formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij
AT mironovam formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij
AT kupčišinai formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij
first_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
_version_ 1796139513361203200