Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия

Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия

Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кад...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2008
Автори: Харченко, Н.М., Хрипунов, Г.С., Ли, Т.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7893
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7893
record_format dspace
spelling irk-123456789-78932010-04-21T12:02:18Z Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия Харченко, Н.М. Хрипунов, Г.С. Ли, Т.А. Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кадмия CdCl2H2O. В навеске длительное время хранившейся на воздухе выявлено образование новой фазы, очевидно гидрохлорида кадмия с более высоким содержанием H2O. Вакуумный отжиг шихты приводит к распаду этой фазы. По результатам исследований свойств пленок хлорида кадмия предложены технологические подходы для контролируемого проведения “хлоридной” обработки. Разработанные подходы были апробированы для модификации свойств слоев CdTe при изготовлении солнечных элементов стекло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au. Для розробки промислової технології виготовлення плівкових сонячних елементів на основі гетеро переходу CdTe/CdS була проведена оптимізація процесу формування плівок хлориду кадмію методом вакуумного резистивного напилення. Встановлено, що склад напиленої плівки хлориду кадмію відповідає гідрохлориду кадмію CdCl2H2O. При зберіганні навіски на повітрі тривалий час виявлено формування нової фази, ймовірно гідрохлориду кадмію з більш високою вмістом H2O. Вакуумний відпал шихти призводить до розпаду цієї фази. За результатами досліджень властивостей плівок хлориду кадмію запропоновані технологічні підходи для контрольованого проведення “хлоридної” обробки. Розроблені підходи були апробовані для модифікації властивостей шарів CdTe при виготовленні сонячних елементів скло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au. For creation of CdTe/CdS-solar cell industrial technology the optimization of cadmium chloride film formation process by vacuum resistive evaporation had been conducted. It was established that the composition of deposited film corresponded to cadmium hydrochloride CdCl2H2O. It was shown that longterm air storage of cadmium chloride powder led to formation of new phase liked to cadmium hydrochloride with the higher H2O-contents. The vacuum annealing resulted in disappearing of this phase. On the base of conducted researches of cadmium chloride film properties the technological approaches for controlled realization of chloride treatment were proposed. The offered technological approaches were approbated for modification of CdTe layer properties at manufacturing of solar cells. 2008 Article Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7893 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кадмия CdCl2H2O. В навеске длительное время хранившейся на воздухе выявлено образование новой фазы, очевидно гидрохлорида кадмия с более высоким содержанием H2O. Вакуумный отжиг шихты приводит к распаду этой фазы. По результатам исследований свойств пленок хлорида кадмия предложены технологические подходы для контролируемого проведения “хлоридной” обработки. Разработанные подходы были апробированы для модификации свойств слоев CdTe при изготовлении солнечных элементов стекло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au.
format Article
author Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
spellingShingle Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
author_facet Харченко, Н.М.
Хрипунов, Г.С.
Ли, Т.А.
author_sort Харченко, Н.М.
title Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_short Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_full Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_fullStr Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_full_unstemmed Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
title_sort оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7893
citation_txt Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT harčenkonm optimizaciâtehnologiihloridnojobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
AT hripunovgs optimizaciâtehnologiihloridnojobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
AT lita optimizaciâtehnologiihloridnojobrabotkitonkihplenokhalʹkogenidovkadmiâ
first_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
last_indexed 2023-10-18T16:38:34Z
_version_ 1796139513574064128

Схожі ресурси